特点：

•12V-200V VBR(DSS)

•N/P 、双N/双 P

•RDS(ON) 2.5mΩ-100mΩ

•RDS(ON) 2.5mΩ-100mΩ

优势：

•DFN1006-3L封装小信号产品

•Bump 30V 高功率密度 trench MOSFET

•60V-150V 第二代 SGT MOSFET

系列：

•DFN1006  SOT723    DFN2020    SOP8    PDFN3*3  PDFN5*6